SJ 20016-92半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅
【 标准编号 】 SJ 20016-92<BR>【 标准名称 】 半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范 <BR>【 英文名称 】 Semiconductor discrete device Detail specification for NPN silicon low-power hiht-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP、GT and GCT classes<BR>【 发布单位 】 中国电子工业总公司<BR>【 发布日期 】 1992-2-1<BR>【 实施日期 】 1992-5-1<BR>【 开本页数 】 11P<BR>【 引用标准 】 GB 4587-84; GB 7581-87; GJB 33-85; GJB 128-86<BR>【 起草单位 】 中国电子技术标准化研究所; 国营八二三一厂<BR>【 起 草 人 】 王长福; 龚云; 葛毅妮<BR>
页:
[1]