SJ 20176-92半导体分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率

【 标准编号 】 SJ 20176-92
【 标准名称 】 半导体分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范  
【 英文名称 】 Semiconductor discrete device Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of type 3DG3439 and 3DG 3440
【 发布单位 】 中国电子工业总公司
【 批准单位 】 中国电子工业总公司
【 发布日期 】 1992-11-19
【 实施日期 】 1993-5-1
【 开本页数 】 12P
【 引用标准 】 GB 4587-84; GB 7581-87; GJB 33-85; GJB 128-86
【 起草单位 】 中国电子技术标准化研究所; 国营八二三一厂
【 起 草 人 】 王长福; 吴鑫奎; 龚云