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SJ 20011-92半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型

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woshi_tjy 发表于 2008-7-31 20:03:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
【 标准编号 】 SJ 20011-92
【 标准名称 】 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范  
【 英文名称 】 Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of types CS1 GP,GT and GCT classes
【 发布单位 】 中国电子工业总公司
【 批准单位 】 中国电子工业总公司
【 发布日期 】 1992-2-1
【 实施日期 】 1992-5-1
【 开本页数 】 11P
【 引用标准 】 GB 4586-84; GB 7581-87; GJB 33-85; GJB 128-86
【 起草单位 】 中国电子技术标准化研究所
【 起 草 人 】 王长福; 吴志龙; 刘美英; 张宗国

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